意法超接面MOSFET提高电桥式和ZVS转换器性能

意法半导体快速恢复的超接面MOSFET，为电桥式和ZVS转换器带来卓越性能。

意法半导体(ST)推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具备一个快速恢复二极管，将最新超接面(Super-Junction)技术的效能优势导入全桥和半桥拓朴、零电压切换(Zero-Voltage Switching；ZVS)相移转换器等的拓朴结构里通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用。

MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr)，最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的软性恢复增加了产品的可靠性。此外，极低的闸极电荷(Qg)和导通电阻(R_DS(ON))以及针对轻负载优化的电容曲线，使应用能够带来更高的工作频率和效能，并简化散热管理设计和降低EMI干扰。这些新元件适用于电动车的充电桩、电信设备或数据中心电源转换器，以及太阳能逆变器等，更稳定的效能和更高的功率密度让应用设计的电力额定参数更加优异。

MDmesh DM6家族属于STPOWER产品组合，全系列共有23款产品，额定输出电流范围自15A至72A，闸极电荷(Qg) 20nC至117nC，R_DS(ON)电阻为0.240 Ω至0.036 Ω，采用主流的功率封装，包括新的低电感无引线TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配备短引线、长引线或Kelvin脚位，适合有精密电流侦测需求的应用。MDmesh DM6系列现已量产。更多产品信息，请造访官网。