积极进行新材料开发　凯勒斯抢攻特殊高端应用市场商机

近年来，尤其碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)在材料特性上，均具有宽能隙(WBG)半导体材料特性，具通导损失低、崩溃电压高、切换频率快等优点。材料应用逐步跨入航天探测、电信基站及汽车发动机、高频率器件等高科技领域，并有机会成爲未来发展主轴。

现阶段中，凯勒斯科技已开发完成碳化矽(SiC)4寸和6寸的加工作业，具备高移除率、高良率及低成本的生产加工作业制程，经由粗(快速减薄)、细(表面优化)研磨，搭配特殊LHA抛光垫，减少化学机械抛光(CMP)抛光加工作业时间，快速达到良好的Epi-Ready表面。

同时，也已开发完成氮化镓(GaN)2寸和4寸的加工作业，搭配使用凯勒斯开发的特殊抛光液和抛光垫，不只减少化学机械抛光(CMP)作业时间，也克服后续清洗的困难度，进而提升产品的良率。

凯勒斯着重合作策略夥伴，与策略合作夥伴积极进行新材料开发，透过系统化的技术整合，持续提供新制程技术及新产品应用，成为具有竞争性及未来性的业界领航者，并看重碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)基板／晶圆在高科技领域部署，以积极抢攻未来特殊高端的应用市场商机。现有供应切割、键合、研磨及抛光等相关制程的材料与加工设备， 在碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)基板/晶圆的小量代工。