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Silicon Labs第三代隔离技术实现更高效能和稳定性

  • 陈毅斌台北

Silicon Labs第三代隔离技术实现更高效能和稳定性。
Silicon Labs第三代隔离技术实现更高效能和稳定性。

Silicon Labs(芯科科技)宣布推出一系列新型隔离类比放大器、电压传感器和Delta-Sigma调变器(DSM)套件,以在完整温度范围内确保超低温度漂移的精确电流和电压量测。Silicon Labs新型Si89xx系列产品以强大的第三代隔离技术为基础,提供弹性的电压、电流、输出与封装选择,协助开发人员降低BOM成本、缩减电路板空间,广泛适用于工业和绿色能源应用,包含电动汽车(EV)电池管理和电源系统、DC-DC转换器、驱动马达、太阳能和风力涡轮机逆变器等。

精准的电流和电压量测对功率控制系统的精确操作非常重要。为大幅提高效率并实时回应故障或负载变化,系统控制器需要蒐集高电压轨上的电流和电压信息。Silicon Labs第三代隔离技术可在1414V工作电压和13kV双极突波的广泛温度范围内保持控制器的安全性,满足严格的产业标准。

Silicon Labs副总裁暨电源产品总经理Brian Mirkin表示:「在过去的十年中,我们的第一代和第二代混合信号隔离技术成功的将数码隔离产品推向广大市场,Si89xx系列产品则采用更高标准的第三代技术。我们的隔离产品将逐渐取代传统的光耦合器,并且优于竞争者的数码隔离产品,为电源系统设计的高电压保护提供更佳的突波保护效能、可靠性、整合度和顶级安全性。」

汽车电池和驱动马达/太阳能逆变器系统需要实现可靠的电流监控和高抗噪性。相较于竞争者产品,Si89xx元件可提高3倍共模瞬变抗扰度(CMTI)。支持75kV/μs瞬变抗扰度确保在严格的工业应用中蒐集可靠、精确的电流数据。如果未检测到高压侧供电电压,Si89xx系列产品将为主机控制器提供故障安全性提示。

Si89xx元件提供最低±40μV的典型偏移误差以及±0.1%的增益误差,实现精确量测。典型零点漂移最低±0.15μV/°C,典型增益漂移最低-6ppm/˚C,如此可确保在整个温度范围内具有卓越的精度。元件并提供业界最高的信号杂讯比(SNR),最高可达90dB。独特的低功耗模式可在电压从另一侧移除后自动将隔离栅一侧的电流消耗降至约1mA,控制器可透过简单的场效晶体管(FET)管理电源。