宜普公司推100 V氮化镓场效应晶体管

宜普公司推出100 V氮化镓场效应晶体管。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A以支持高效功率转换。

要求更高效及更高功率密度的应用，EPC2051可以同时实现小尺寸及高性能。EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051占板面积小，它工作在50 V–12 V降压转换器、500 kHz开关及4 A输出电流时可实现97%功效。此外，低成本的EPC2051与等效矽MOSFET的成本可比。受惠于EPC2051的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统、雷射雷达、LED照明及D类音频放大器等应用的48 V输入电压的功率转换器。

宜普电源转换公司首席CEOAlex Lidow说，氮化镓(eGaN)元件工作在高频下可以实现高效率，在性能及成本方面得以扩大与等效矽基元件的绩效差距。此外，100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管比等效MOSFET小型化30倍。

EPC9091开发板的元件的最大电压为100 V、半桥式、采用EPC2051晶体管及uPI半导体公司的闸极驱动器(uPI1966A)。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米)，专为最高开关性能而设，而且包含所有重要元件，使得工程师可以易于对100 V的EPC2051 eGaN FET进行评估。