英飞凌发表新款高电压超接面MOSFET技术产品

英飞凌600V CoolMOS CFD7效率较前一代产品和其他竞争产品高出1.45%，结合了快速切换技术所有的优点和高整流耐用度，同时保有设计流程的简易实作性。

英飞凌科技发表新款高电压超接面(SJ)MOSFET技术产品600 V CoolMOS CFD7，让CoolMOS 7系列更为完备。新款MOSFET产品满足高功率SMPS市场的谐振拓朴需求，为LLC和ZVS PSFB等软切换拓扑提供领先业界的效率与可靠度，最适合像是服务器、电信设备电源和电动车充电站等高功率SMPS应用。

600V CoolMOS CFD7为CoolMOS CFD2的接续产品。新MOSFET产品效率较前一代产品和其他竞争产品高出1.45％，结合了快速切换技术所有的优点和高整流耐用度，同时保有设计流程的简易实作性。600V CoolMOS CFD7除了降低闸极电荷(Qg)，关断行为亦获得改善。此外，其逆回复电荷(Qrr)比市场上其他竞争产品少了69％。600V CoolMOS CFD7提供了领先业界的插件式封装(THD)和表面接着封装(SMD)解决方案，支持高功率密度产品的设计需求。

供货情形：600V CoolMOS CFD7现已开始量产，且样品已开放订购。