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英飞凌推出第六代650V CoolSiC肖特基二极管

英飞凌科技股份推出650V CoolSiC肖特基二极管G6。这项CoolSiC二极管系列的最新发展以G5的独特特性为基础,提供可靠性、高品质及更高的效率。CoolSiC G6二极管让600V与650V CoolMOS 7系列的功能更臻完善,适用于服务器、PC电源、电信设备电源及PV变频器等目前与未来的应用。

650V CoolSiC肖特基二极管G6具备全新配置、全新单元结构以及全新专有的肖特基材料系统,因此达成了业界标竿的VF(1.25V)以及QcxVF优质系数(FOM)较前代产品低了17%。另外,新款G6二极管运用碳化矽的强大特性,包括不受温度影响的切换特性以及无逆向回复电荷等。

英飞凌新650V CoolSiC肖特基二极管G6的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度,因此,散热需求降低、系统可靠性提升,并提供极快的切换速度。

英飞凌新650V CoolSiC肖特基二极管G6的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度,因此,散热需求降低、系统可靠性提升,并提供极快的切换速度。

此装置的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度,因此,650V CoolSiC肖特基二极管G6的散热需求降低、系统可靠性提升,并提供极快的切换速度,是最具性价比的SiC二极管产品时代。