东芝推出高散热40V Nch MOSFETs
- 吴冠仪/台北
东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出两款可应用于车用相关设计最新40V Nch MOSFET–TPWR7904PB、TPW1R104PB。此两款IC皆已经开始量产出货。
此款IC为U-MOS第九代芯片采用沟槽式结构,其确保高散热及低电阻的特性。让散热设计更加灵活。与前一代相比,U-MOS第九代的切换干扰也较低,EMI表现效果较佳。
封装采用DSOP Advance(Wettable Flank;WF)为侧翼可沾锡的封装结构。双面散热封装,低电阻以及小尺寸。
关键字