美光与Intel宣布3D XPoint共同开发计划新进展
- 李佳玲／台北
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美光科技公司(NASDAQ股票代码：MU)和Intel日前宣布了他们在3D XPoint合作开发计划的最新进展，推出一个比NAND存储器具备更低延迟时间且耐用性大幅增加的全新非挥发性存储器。
两家公司已同意第二代3D XPoint技术开发的共同合作，预计将于2019上半年完成。第二代3D XPoint技术之后更先进的技术开发将由两家公司各自进行，以发展出最佳的技术，应因自家产品和业务的需求。
两家公司将在犹他州李海(Lehi)的Intel-Micron Flash Technologies厂(简称IMFT)继续以3D XPoint技术制造相关存储器产品。
美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，「美光在存储器发展上拥有40年的研发创新专业地位，美光将继续推动发展下一代3D XPoint技术，这技术将有助于客户享有独特的存储器和储存性能优势。透过独立开发3D XPoint技术，美光得以为自家的产品规划蓝图，开发出更优异的技术，并兼顾客户和股东的最大利益。」
Intel非挥发性存储器解决方案事业群资深副总裁暨总经理Rob Crooke表示，「由于客户提供顾客和数据中心市场的支持，Intel已推出广泛的Optane产品组合，并取得领导性的地位。Intel Optane与全球最先进运算平台的直接连结在IT和消费应用方面已有突破性的成果。Intel计划延续这个发展动能，结合高密度3D NAND技术，扩大在Optane的领先地位，为现今的运算和储存需求提供最佳解决方案。」
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