AOS推出最新650V H2系列IGBT

650V H2系列IGBT开通性能

Alpha and Omega Semiconductor(AOS) (Nasdaq: AOSL)，是集开发设计与生产制造于一体的全球半导体供应商，拥有MOSFET，PIC，IGBT，IPM，TVS等多条产品线，为各种系统应用提供完整功率解决方案。

最近正式推出高速开关器件(IGBT) AOK60B65H2AL。为获得较低的开关损耗，AOK60B65H2AL专注于开关性能的设计，具有较快的关断速度和较小的拖尾电流，适合于变频焊机，功率因素校正(PFC)及各种高频逆变器应用。

AOK60B65H2AL采用最新的AlphaIGBT技术，这种技术集合了传统平面结构和沟槽结构的优点，使器件同时具有较低的导通压降，较快的开关速度和强壮的可靠性。650V最小耐压设计可以满足大部分的应用设计需求，为设计留下足够的耐压裕量，从而提高了系统的可靠性。

该系列器件具有较好的di/dt 和 dv/dt控制能力，如图1所示，通过控制驱动电路即可在不显着增加开关损耗的情况下满足EMI的需求。

IGBT已被广泛地应用于各种高频逆变应用，由于对系统效率，可靠性及成本等各方面的考量，选择一颗合适的IGBT已变得非常重要，AOK60B65H2AL的推出，为系统开发者提供了更多的灵活性。

650V H2-系列主要特点

高速的开关性能、易控的di/dt 和dv/dt 能力，方便EMI设计。

AOK60B650H2AL 技术指标

V_CE = 650V、I_C = 60A、V_CE(SAT) = 1.95V @T_J = 25°C、E_OFF = 1.17mJ @T_J = 25°C、t_D(OFF) = 168ns, t_F = 76ns @T_J = 25°C、T_J(max) = 150°C