新思科技与台积电共同研发12纳米FinFET制程

新思科技 (Synopsys, Inc.)宣布与台湾集成电路制造股份有限公司(TSMC)共同开发用于台积电12FFC制程的DesignWare界面、类比及基础IP。透过为台积公司最新的低功耗制程提供更广泛的IP组合，新思科技协助设计人员，灵活运用该新制程在低漏电及较小面积上的操作优势。

台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示，多年以来，台积电与新思科技在台积公司先进FinFET制程上，共同为设计人员提供最高品质的广泛IP全方位组合。而在最新的TSMC 12FFC制程上，新思科技所开发出的IP解决方案也可有效协助设计人员改善SoC漏电状况，同时降低整体成本。

新思科技IP行销副总裁John Koeter指出，「随着芯片设计不断加入更多精密的功能，我们的客户得同步在SoC的效能、功耗及面积上做出更严格的要求。我们与台积公司紧密合作，共同开发针对台积电12FFC制程的广泛IP，确保设计人员能实时取得最高品质的IP解决方案，以达成设计目标，并加快产品上市时程。」

新思科技与台积公司在先进制程技术的IP开发上，拥有超过二十年的合作经验，现阶段已开发出可支持7纳米制程技术的强大IP组合。新思科技针对台积公司12FFC制程，所开发的DesignWare IP，能让设计人员加速进行SoC的开发，其内容包含逻辑库(logic libraries)、嵌入式存储器、嵌入式测试及修复、 USB 3.1/3.0/2.0、 USB-C 3.1？显示器连接埠1.3、 DDR4/3、 LPDDR4X、 PCI Express 4.0/3.1/2.1、 SATA 6G、HDMI 2.0、MIPI M-PHY和D-PHY以及数据转换器 IP。

用于台积电12FFC制程的DesignWare IP(包含USB 2.0/3.0/3.1/Type-C、显示连接埠、PCI Express 4.0/3.0/2.0、SATA 6G、MIPI D-PHY/M-PHY、25G以太网络、HDMI 2.0、DDR4/3 和LPDDR4X以及12位元数据转换器)预计于第3季上市。