美大学运用α-硒化铟 开发类忆阻器装置
- 茅堍／综合外电
美国普渡大学(Purdue University)与格鲁吉亚理工学院(Georgia Institute of Technology)研究人员，运用新型铁电(ferroelectric)材料α-硒化铟(alpha Indium Selenide)，开发出具有储存能力的晶体管以及类似忆...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
