STT-MRAM具快速和低耗电优势 惟制造、测试和操作上仍面临挑战 智能应用 影音
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STT-MRAM具快速和低耗电优势 惟制造、测试和操作上仍面临挑战

  • 萧菁菁综合报导

自旋转移力矩式存储器(STT-MRAM)将若干传统存储器的属性整合至单一装置中,而且具有快速和低耗电等特点,对芯片制造厂而言相当有吸引力,几家业者现正扩大在STT-MRAM的着墨,但此技术在当前,甚至未来在制造和测试都将存在各种挑战。

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