三星宣布量产256Gb第五代V-NAND
- 林瑜淳／综合报导
据韩媒Newspim报导，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产256Gb第五代V-NAND存储器，采用Charge Trap Flash(CTF)结构，降低记忆单元高度20%，堆叠层数高于90层，数据传出速度达每秒175MB。
...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
