美科学家以金属二硫属化物发展ReRAM
- 涂翠珊／综合报导
由美国国家标准与技术研究院(NIST)与普渡大学(Purdue University)科学家组成的研究团队，利用金属二硫属化物(metal dichalcogenide)原子薄层产生的相变化，发展出新型态的变电阻式存储器(ReRAM)技术。
据A...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
