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东京威力

存储器大军猛攻QLC NAND 高容量SSD酝酿大爆发 陆厂试图超车追赶 明年NAND Flash市场动荡加剧

  • 韩青秀

全球NAND Flash推进次世代技术堆叠,快速拉升高容量SSD市场需求。李建梁摄

2018年全球NAND Flash价格一路走跌,由于市场需求增长平缓,业者预期下半年将延续跌势,随著国际NAND Flash大厂纷纷加码投资次世代技术堆叠,2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND将迈入百家争鸣世代,带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级,加上大陆长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking,试图超车追赶国际大厂,全球NAND Flash产量持续增加,战火愈益激烈,2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。

美光(Micron)与英特尔(Intel)于5月发布全球首款QLC 3D NAND技术SSD,宣告2018年进入QLC量产元年,目标市场锁定资料中心应用领域。近期三星电子(Samsung Electronics)宣布将针对消费性市场推出QLC SSD产品,采用64层3D NAND堆叠生产,最大容量将达到4TB,后续将再推出企业用QLC SSD。

存储器业者指出,2018年以来NAND Flash价格走势疲弱,消费性市场搭载大容量SSD产品需求与渗透率持续成长,尽管QLC具有更高容量和成本优势,然因单位体积容量增加与存储密度增大,厂商要确保产品速度和性能水平并不容易,三星声称已可实现QLC SSD与TLC同等级的性能,未来高容量SSD拥有价格优势,可望提升ODM厂商搭载意愿,包括笔记本电脑(NB)搭载SSD主流规格将朝向1TB迈进。

由于SSD容量发展速度已明显快于HDD,意味著SSD将加快取代HDD的脚步,尤其三星推出消费性QLC SSD抢市后,业界预期东芝(Toshiba)96层QLC 3D NAND亦可望跟进推出,2019年全球存储器原厂QLC SSD产品相继问世,存储器模块厂亦将推出新品上市,带动SSD容量升级及价格竞争白热化。

SK海力士则推出全球首款4D NAND TLC产品,芯片面积更小、处理工时缩短且成本降低,其采用96层堆叠技术,I/O接口速度为1.2Gbps,预计2018年第4季推出样品,同时投入4D QLC研发,可望于2019年下半推出样品。

值得注意的是,在大陆发展存储器国产化的声浪下,长江存储日前亦推出全新3D NAND架构Xtacking,首要特点在于大幅提升I/O接口速度,具备3D NAND多层堆叠的更高存储密度,并可减少上市周期。

长江存储指出,Xtacking可将I/O接口速度提升到3Gbps,相当于DRAM DDR4的速度,产品开发时间可缩短3个月,生产周期缩短20%,可加速3D NAND产品上市,Xtacking技术将应用于第二代3D NAND产品开发,预计2019年进入量产。

业界认为长江存储积极超车赶上的态势,加上第4季32层NAND将进入量产,2019年能否快速扩大量产及铺货将是观察重点,即使目前长江存储NAND技术仍落后国际大厂,但市场价格制约力量将逐渐形成,并为NAND Flash市场波动带来新变量。



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