传三星FD-SOI制程应用产品扩至40种 预计明年导入CIS
- 林瑜淳／综合报导
传闻三星电子(Samsung Electronics)准备扩大全耗尽型绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator；FD-SOI)制程的晶圆代工应用，从28纳米制程扩大到18纳米。2017年底前恩智浦(NXP)、飞思卡尔(Freescal...
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