来自SK海力士半导体(SK Hynix)的Seok-Hee Lee谈到，存储器元件在技术扩展方面须朝高带宽存储器以及高容量存储器这2条路线革新。然而通用存储器的梦想却因不同应用走向而遥不可及。另一方面，除了MRAM迅速发展，纳米随机存取存储器(NRAM)结合了DRAM的读写速度与NAND快闪存储器的非挥发性等双重优点，富士通旗下半导体公司将授权Nantero相关技术，计划在2018年推出读写速度媲美DRAM的非挥发性存储器芯片。
NRAM读写速度快且功耗低 2018年可望由富士通携手Nantero投产
Nantero募资能力强 未来几年营收可望凭NRAM技术大幅成长
存储器储存技术将往高带宽与高容量发展 利基导向使通用存储器的梦想遥不可及
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