从存储器到传感器 日新创推TMR应用
- 范仁志／综合报导
应用穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance：TMR)的磁传感器，最早用于提高硬盘读取效率与数据存取容量，接下来被用在智能手机的磁传感器、以及次时代存储器MRAM上，现在日本新创要进一步扩大用途，让TMR传感器走出硬盘与手机，随物联网...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
