意法半导体为未来移动网络基础设施奠定根基

意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)的BiCMOS55 SiGe 先进技术获欧洲E3NETWORK研发专案采用，用于开发适合下一代移动网络的高效率、高容量数据传输系统。

为因应移动数据使用量的迅速成长，网络系统必须支持更大的容量及更高的数据传输速率。而如何加快移动网络向先进网络架构转型的速度，对回程线路(backhaul)基础设施是一个新的挑战，例如异质网络(Heterogeneous Network)与云端无线存取网络(Radio Access Network；RAN)，其中更高频段(例如E-band )可提供更广泛的频谱，以支持更快的数据传输通道。

建设这些超高效率的移动网络，设备厂商必须要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模整合电路电子元件。E3NETWORK研发专案利用意法半导体的高整合度、低功耗BiCMOS55Si制程，开发出55纳米微影的Ft高达320GHz的异质接面双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistors；HBT)。

这项制程允许在一颗芯片上整合高频类比模块及高性能、高容量的数码模块，例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。

E3NETWORK专案采用意法半导体的BiCMOS55制程，目前正在研发一个整合化的E-band收发器，将用于去程线路(Fronthaul)及回程线路网络基础设施，以实现数码多层调变，及高度聚焦的笔形束(Pencil-beam)传输，数据速率可高达10Gbps。

笔形束的特性有助于提高回程线路及去程线路网络频率再使用率，同时在毫米波段(millimeter-wave)间隔期间确保频谱效率(Spectrum efficiency)不受影响。

作为欧盟第7框架计划中的一项专案，E3NETWORK(Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)汇集了众多企业，其中包括CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德国)、阿尔卡特朗讯(意大利)、CEA(法国)、INXYS(西班牙)、OTE(希腊)、SiR(德国)、Sivers IMA(瑞典)以及意法半导体(意大利)。