氮化镓电源IC当道 取代矽晶体管

Power Integrations, Inc.高级市场部经理李子俊。

在电源管理领域，基于氮化镓(GaN)的电源管理元件扮演的角色分量日重，因为相较于矽，GaN具有更佳的效率且尺寸能进一步缩小。预期矽晶体管将快速转换为GaN，Power Integration(PI)此前已积极布局基于GaN的新型电源IC。PI高级市场部经理李子俊指出，InnoSwitch3的氮化镓系列产品推出，使得PI成为离线式切换开关IC市场的技术佼佼者。

PI持续力推GaN技术，希望能将这项技术推广到更多的应用中，例如移动设备的USB PD充电应用。新的USB PD充电标准搭配Type-C连接器，可以为各种移动设备提供高达100W的功率，而随着手机品牌商企图以充电速度做为手机差异化诉求之一，可以想见基于USB PD的快速充电需求也将水涨船高。

针对USB PD快充应用，PI所推出基于GaN的InnoSwitch3系列IC，不仅可以满足移动设备对于快充效率的期待，并且能解决散热问题，且体积可以进一步缩小。

李子俊说明指出，在快速充电应用中，效率非常重要，然而体积太小易造成散热不好，进而影响效率，PI的InnoSwitch3系列IC适足以克服小体积与散热之间的冲突，保持极佳的效率水准。值得一提的，PI InnoSwitch3产品的高整合度，可以使得高功率充电器的设计进一步简化，并且减少元件数量。

PI最近又为InnoSwitch3新增一生力军，推出氮化镓系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。拜PI自主开发的高压氮化镓开关技术所赐，这颗新IC可在整个负载范围内提供94%的高效率，且在密闭适配器内、于不使用散热片的情况下，可提供100W的功率输出。

李子俊强调，此一InnoSwitch3元件以GaN切换开关取代IC一次侧的传统矽高压晶体管，可减少电流流过时的导通损耗，并大大降低运作期间的切换损失，实现矽开关无法达到的功率密度水平。