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泛铨科技发布低损伤EUV光阻材料分析技术

由a到c为EUV PR截面TEM影像。随著不同蚀刻条件,EUV PR的状况都能清楚且几近无损伤的呈现出来。

泛铨科技专注于半导体先进制程的材料分析、故障分析领域,近期发布发展出损伤EUV PR材料分析技术。目前半导体制程已进到7纳米之后,然而极紫外光(EUV)光刻微影技术是5纳米、3纳米制程继续前进的关键技术,极紫外光光阻(EUV PR) 是一种非常脆弱且对温度相当敏感,在先进制程中不可或缺的重要材料之一;一般光阻材料分析(TEM & SEM)过程都会造成结构变形与损伤。

为避免分析时造成光阻材料结构变形与损伤,泛铨科技开发出低损伤EUV PR材料分析技术,以提供最精准的数据,让合作伙伴在先进制程研发中持续领先。

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