ROHM推出PrestoMOS系列产品

具业界最快反向恢复时间适用于节能家电及EV充电桩。

半导体制造商ROHM推出600V耐压超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列产品，在保持业界最快反向恢复时间(trr)的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等生活家电的马达驱动以及EV充电桩， 而该「R60xxJNx 系列」产品群于近期又新增共30种机型。

此次研发的新系列产品与传统产品同样利用了ROHM独有的LifeTime控制技术，实现了业界最快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，透过提高导通MOSFET所需要的电压基准，可以避免发生造成损耗增加原因之一的误开启(Self Turn-on)现象 。不仅如此，还透过最佳化内建二极管的具业界最快反向恢复时间适用于节能家电及EV充电桩特性，改善了超接合面MOSFET特有的软恢复指数，可减少引发误动作的杂讯干扰。透过减少这些阻碍使用者实行最佳化电路时的障碍，以提高设计灵活度。

据了解，在全球的功率需求中，近50%用于马达驱动，随着生活家电在新兴国家的普及，马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。一般来说，包括空调和冰箱在内，生活家电多使用变频电路进行马达驱动，而变频电路的开关元件通常会使用 IGBT。然而，近年来在节能效能需求高涨的大趋势下，可有效降低装置稳定运行时功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。

在这种背景下，ROHM于2012年成为第一家开始量产以业界最快反向恢复特性为特点的功率MOSFET PrestoMOS，且由于该系列产品可大大降低应用的功耗,因此受到市场的高度好评。

提高设计灵活度的关键

开关速度的高速化与误开启现象、杂讯干扰是相悖的，使用者在电路设计时需要透过调整闸极电阻来进行最佳化。与一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已经采取了针对误开启现象以及杂讯的对策，有助于提高设计灵活度。

避免增加损耗的误开启对策，本系列产品透过最佳化MOSFET结构上存在的寄生电容，将开关时的额外闸极电压降低了20%。另外，使MOSFET导通 所需的阈值电压(Vth)增加了约1.5倍，是不易产生误开启现象的设计。因此，扩大了用户透过闸极电阻来进行损耗调节的范围。

改善恢复特性，减少杂讯干扰。一般来说，超接合面MOSFET的内建二极管的恢复特性为硬恢复。 然而，ROHM的R60xxJNx系列，透过最佳化结构，与传统产品相比，新产品的软恢复指数改善了30%，不仅保持了业界最快的反向恢复时间(trr)，还成功减少了杂讯干扰。因此，用户可更轻易地透过闸极 电阻来调节杂讯干扰。