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宜普公司宣布车用氮化镓元件通过认证

车规级eGaN FET使得光达系统看到更清晰、更高效,降低48 V车用功率系统的成本。

宜普电源转换公司(EPC)宣布两个车用氮化镓(eGaN)元件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。EPC2206及EPC2212是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的离散晶体管。

基于氮化镓(eGaN)技术的产品已进行量产超过8年,累计了数十亿小时的实际汽车应用经验,包括全自动驾驶汽车的光达及雷达系统、应用于资料中心计算机的48 V–12 V DC/DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新元件已经通过严格的AEC Q101测试认证,随后会推出更多面向严峻的车用环境的离散晶体管及IC。

EPC2206为80 V、2.2 mΩ增强型氮化镓场效应晶体管,采用6.1毫米x 2.3毫米芯片级封装,脉冲电流为390 A。EPC2212为100 V、13.5 mΩ元件,采用2.1毫米x 1.6毫米芯片级封装,脉冲电流为75 A。与等效MOSFET相比,这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多,而且可实现的开关速度快10至100倍。

目前采用48 V汇流排配电系统的新型汽车,由于配备了非常耗电的电动元件的功能和特性,例如电动启停、电动转向、电动悬挂系统和变速空调,因此EPC2206是理想的功率管理元件。此外,新兴的全自动驾驶汽车、额外的系统需求例如光达、雷达、相机和超音波传感器,都增加对配电系统的整体需求,从而使汽车需要转用48 V汇流排系统。而氮化镓元件,例如EPC2206,可以使得48 V汇流排系统的效率更高,尺寸更小、更轻型及成本更低。

EPC2212非常适合在光达(LiDAR)系统发射雷射,因为FET触发雷射信号、产生大电流、极短脉宽,从而实现更高的分辨率,而更大脉冲电流使得光达系统可以看到更远的景物。这两个特性,加上小尺寸及低成本,使得eGaN FET除了支持严峻的车用光达系统外,也是雷达及超音波传感器的理想元件。

EPC公司的CEO及共同创办人Alex Lidow表示,紧随这两个通过认证的车规级氮化镓元件,将推出车用晶体管及IC,以打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的矽基功率MOSFET相比,基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。