宜普公司宣布车用氮化镓元件通过认证

车规级eGaN FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效，降低48 V车用功率系统的成本。

宜普电源转换公司(EPC)宣布两个车用氮化镓(eGaN)元件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其他严峻环境支持多种全新应用。EPC2206及EPC2212是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的离散晶体管。

基于氮化镓(eGaN)技术的产品已进行量产超过8年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心电脑的48 V–12 V DC/DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新元件已经通过严格的AEC Q101测试认证，随后会推出更多面向严峻的车用环境的离散晶体管及IC。

EPC2206为80 V、2.2 mΩ增强型氮化镓场效应晶体管，采用6.1毫米x 2.3毫米芯片级封装，脉冲电流为390 A。EPC2212为100 V、13.5 mΩ元件，采用2.1毫米x 1.6毫米芯片级封装，脉冲电流为75 A。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。

目前采用48 V汇流排配电系统的新型汽车，由于配备了非常耗电的电动元件的功能和特性，例如电动启停、电动转向、电动悬挂系统和变速空调，因此EPC2206是理想的功率管理元件。此外，新兴的全自动驾驶汽车、额外的系统需求例如激光雷达、雷达、镜头和超声波传感器，都增加对配电系统的整体需求，从而使汽车需要转用48 V汇流排系统。而氮化镓元件，例如EPC2206，可以使得48 V汇流排系统的效率更高，尺寸更小、更轻型及成本更低。

EPC2212非常适合在激光雷达(LiDAR)系统发射雷射，因为FET触发雷射信号、产生大电流、极短脉宽，从而实现更高的分辨率，而更大脉冲电流使得激光雷达系统可以看到更远的景物。这两个特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支持严峻的车用激光雷达系统外，也是雷达及超声波传感器的理想元件。

EPC公司的CEO及共同创始人Alex Lidow表示，紧随这两个通过认证的车规级氮化镓元件，将推出车用晶体管及IC，以打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的矽基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。