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DRAM技术大转弯

  • 林育中
DRAM技术大转弯

据韩媒Kinews等的报导,三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资,日前传出将延至2019年,取而代之的是对现有产线进行补强投资,期望获利维持一定水平。SK海力士2018年下半,则是将投资重心集中于NAND Flash,NAND Flash新厂投资进度正在加速,DRAM只会进行小规模补强与转换投资。(参见DIGITIMES《韩国存储器厂重整投资步伐 三星DRAM新产线投资放缓、SK海力士加速NAND Flash新厂量产》)

这则新闻其实是意料中的事,但却不是因为公司宣称的市场因素,也不是媒体所猜测的大陆DRAM产能将陆续释出的缘故。要讲究,我猜是技术面的原因。

多年前我负责公司的技术授权和技术共同开发谈判,技术共同开发一向难谈,因为这是双方核心利益,可是那次对方居然爽快的答应了。在谈判桌上轻易得来的利益要戒慎恐惧,因为其中可能藏有视野之外的死角。想了很久才想明白,对方已有另外的技术驱动(technology driver)产品,而我们所谈的技术合作产品整整落后两个世代,是无关紧要的副产品,是以好谈。事后产业的发展态势果然也一如预期。

回看这则新闻,单纯从市场面看是有点反智的。DRAM市场目前价格并不差,反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线,不是拿石头砸自己的脚吗?但是技术才是高科技产业的核心竞争力,看新闻得从这角度。3D Flash目前技术在96层,但是技术路标的能见度已至512层-3D Flash做为高科技产业的技术、产品还可长可久,投资于此,理所当然。

DRAM制程推进已很缓慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是投资甚钜、所得甚微的最后努力。对于一个商业公司,最合理的是采取收割策略,少量投资,改善良率,并且利用韩国机器设备3年折旧的制度,在未来的DRAM市场持续保有价格优势,获得最大利益。

DRAM自然也不会从此就从市场上消失。在CPU与NAND Flash的速度还存有巨大落差,这是目前存储器体制(memory hierarchy)的现况。所以合理的情境是已有新兴存储器(emergent memories)的技术已接近成熟,可以填补这个区位,是以两家大厂胆敢停止于DRAM的投资。从目前各新兴存储器的技术进展来看,读写速度都已纷纷进入10ns的目标区,而且不需要更新电流(refresh current),于功耗问题大有好处。这些技术也都可以3D堆叠,在每位元价格上,迟早能跟DRAM竞争。所以我的臆测是这样的投资型态意味著新型态记体快要问世了。

另外一个附带的小问题是:对于目前急于踏入DRAM市场竞逐的新厂商,营运计划中对这可能存在的产业大转弯,你们可有plan B?

现为DIGITIMES顾问,1988年获物理学博士学位,任教于中央大学,后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任咨询委员,主持黄光论坛。2001~2002 获选为台湾半导体产业协会监事、监事长。现在于台大物理系访问研究,主要研究领域为自旋电子学相关物质及机制的基础研究。