黛莉妍
订报优惠

韩国观点(6/7):NAND Flash的竞合趋势

  • 黄钦勇
Flash大厂的技术发展时程。

相较于DRAM的积极投资,韩国双厂在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态,三星必须积极投资,而海力士也必须力争上游。所以,各厂的投资都很积极,并往3D多层化的方向进展

与DRAM产业同样的必须以良率在市场上竞争,加以十分耗电,因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND Flash,在10xnm阶段便遭遇技术压力,因此三星、东芝向3D发展。相较于2017年,三星的资本支出会少一点点,但比起往年仍是大幅成长,而海力士、美光则是积极回应。

另一方面,目前三星以64层3D NAND为主力,下半年会推进到96层。英特尔/美光也将在2018年上半进入96层的技术规格,2018年中,也会将3D的比重提高到85%以上。

现任经济部顾问、外贸协会董事、中华航空事业发展基金会董事。