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韩国观点(6/7):NAND Flash的竞合趋势

  • 黄钦勇
Flash大厂的技术发展时程。

相较于DRAM的积极投资,韩国双厂在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态,三星必须积极投资,而海力士也必须力争上游。所以,各厂的投资都很积极,并往3D多层化的方向进展

与DRAM产业同样的必须以良率在市场上竞争,加以十分耗电,因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND Flash,在10xnm阶段便遭遇技术压力,因此三星、东芝向3D发展。相较于2017年,三星的资本支出会少一点点,但比起往年仍是大幅成长,而海力士、美光则是积极回应。

另一方面,目前三星以64层3D NAND为主力,下半年会推进到96层。英特尔/美光也将在2018年上半进入96层的技术规格,2018年中,也会将3D的比重提高到85%以上。

为32年资历的产业分析师,一手创办科技专业媒体《电子时报》(DIGITIMES),著有《巧借东风》、《计算机王国ROC》、《打造数码台湾》、《西进与长征》、《出击》等多本著作。曾旅居韩国与美国,受邀至多家国际企业总部及大专院校讲授产业趋势,遍访中国、欧美、亚太主要城市。现任经济部顾问、外贸协会董事。