相较于DRAM的积极投资，韩国双厂在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而海力士也必须力争上游。所以，各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展
与DRAM产业同样的必须以良率在市场上竞争，加以十分耗电，因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND Flash，在10xnm阶段便遭遇技术压力，因此三星、东芝向3D发展。相较于2017年，三星的资本支出会少一点点，但比起往年仍是大幅成长，而海力士、美光则是积极回应。
另一方面，目前三星以64层3D NAND为主力，下半年会推进到96层。英特尔/美光也将在2018年上半进入96层的技术规格，2018年中，也会将3D的比重提高到85%以上。
为拥有近40年资历的产业分析师，一手创办科技专业媒体《电子时报》（DIGITIMES），着有《矽岛的危与机》、《东方之盾》、《断链之后》、《科技岛链》、《巧借东风》、《西进与长征》、《出击》、《电脑王国ROC》、《打造数码台湾》、等多本着作。曾旅居韩国与美国，受邀至多家国际企业总部及大专院校讲授产业趋势，遍访国内、欧美、亚太主要城市。
